[发明专利]一种非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统有效
| 申请号： | 201010592995.7 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102568594A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;舒清明 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括校验：选中一个存储单元，校验该选中的存储单元的阈值电压是否小于0V，若是，则执行下面步骤；若否，则选中另外一个存储单元进行校验；电压施加：对选中的存储单元的字线施加正电压、漏极施加编程漏极电压，对未选中的存储单元的字线施加小于该未选中的存储单元的阈值电压的电压；再次校验：校验经过电压施加步骤处理后的存储单元的阈值电压是否小于0V，若是，则返回电压施加步骤，若否，则结束处理。本发明的非易失存储器的过擦除处理方法能够对阈值电压低于0V的存储单元进行二次过擦除处理，保证过擦除处理的准确性。本发明还提供一种非易失存储器的过擦除处理系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 擦除 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：校验：选中一个已经进行过软编程操作的存储单元，校验该选中的存储单元的阈值电压VT是否小于0V，若是，则执行下面步骤；若否，则选中另外一个存储单元进行校验；电压施加：对选中的阈值电压VT小于0V的存储单元的字线施加正电压、漏极D施加编程漏极电压，对未选中的存储单元的字线施加小于该未选中的存储单元的阈值电压的电压；再次校验：校验经过电压施加步骤处理后的存储单元的阈值电压VT是否小于0V，若是，则返回电压施加步骤，若否，则结束处理。
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