[发明专利]一种非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统

权利要求书

1.一种非易失存储器的过擦除处理方法，包括以下步骤：

校验：选中一个已经进行过软编程操作的存储单元，校验该选中的存储单元的阈值电压V_T是否小于0V，若是，则执行下面步骤；若否，则选中另外一个存储单元进行校验；

电压施加：对选中的阈值电压V_T小于0V的存储单元的字线施加正电压、漏极D施加编程漏极电压，对未选中的存储单元的字线施加小于该未选中的存储单元的阈值电压的电压；

再次校验：校验经过电压施加步骤处理后的存储单元的阈值电压V_T是否小于0V，若是，则返回电压施加步骤，若否，则结束处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电压施加步骤中，对选中的存储单元的字线施加的正电压的范围为小于或者等于处于正常擦除状态所允许的存储单元具有的最大的阈值电压V_T。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电压施加步骤中，对未选中的存储单元的字线施加的电压小于或者等于所有未选中的存储单元中的最小阈值电压V_T。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述校验步骤之前还包括软编程步骤：对存在过擦除的存储单元进行软编程操作。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述软编程步骤之前还包括初步校验步骤：校验存储单元的阈值电压V_T是否小于0V，若阈值电压V_T小于0V，则执行步骤软编程的操作，反之，则结束对该存储单元的过擦除处理，直接跳到下一个地址进行校验。

6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述校验已进行过软编程操作的存储单元的阈值电压V_T是否小于0V包括以下步骤：

选择一个参考存储单元，并给该存储单元的字线施加一个参考电压，确定一个参考电流；

给待校验的存储单元的字线施加一个正电压，得出该待校验存储单元中的测量电流；

比较参考电流和测量电流，若测量电流大于参考电流，则阈值电压V_T小于0V，反之，则大于0V。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，给待校验的存储单元的字线施加的正电压的值为参考存储单元的字线的参考电压与该参考存储单元的阈值电压V_T之间的差值。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述校验已进行过软编程操作的存储单元的阈值电压V_T是否小于0V的方法还包括：在给待校验的存储单元的字线施加一个正电压的时候，给与所述待校验的存储单元同一位线上的其它存储单元的字线上施加一个小于或者等于所述其它存储单元的阈值电压V_T的电压。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，给与所述待校验的存储单元同一位线上的其它存储单元的字线上施加一个相同的电压，所述相同的电压小于或者等于所述其它所有存储单元中的最小阈值电压V_T。

10.一种非易失存储器的过擦除处理系统，其特征在于，包括：

校验模块，用于对校验存储单元的阈值电压V_T是否小于0V；

电路模块，对选中的阈值电压V_T小于0V的存储单元的字线施加正电压、对漏极D施加编程漏极电压，对其余未选中的存储单元字线上施加小于或等于未选中的存储单元的阈值电压V_T的电压。

11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述校验模块包括电压施加模块，对参考存储单元及待校验的存储单元施加处理电压。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述校验模块还包括电流测量模块，对参考存储单元的参考电流及待校验的存储单元的测量电流进行测量。

13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述校验模块还包括比较模块，对参考存储单元中产生的参考电流及待校验的存储单元的测量电流进行比较；

若测量电流大于参考电流，则待校验的阈值电压V_T小于0V，反之，则大于0V。

14.如权利要求10至13任一项所述的系统，其特征在于，所述过擦除处理系统还包括软编程处理模块，用于对存在过擦除的存储单元进行软编程操作。