[发明专利]晶体硅太阳能电池的梯度型背表面场及其制备方法

摘要

本发明涉及晶体硅(p型)太阳能电池中由铝、硼共掺杂形成的一种梯度型背表面场，采用多层膜技术路线通过电极共烧过程一次形成。本发明根据硼在晶体硅中的固溶度显著大于铝在晶体硅中固溶度的特点，借助铝与硅材料之间能够在较低温度下形成共熔体的物理化学特性，通过控制硼在晶体硅中的掺杂深度小于铝，使晶体硅表面附近的浅区域以较高浓度的硼掺杂为主，而较深的区域则以较低浓度的铝掺杂为主，从而形成一种具有梯度型掺杂浓度分布的背表面场结构，这种梯度型背表面场对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有较大程度的提高。通过调节硼在晶体硅中的掺杂深度，可以实现对这种梯度型背表面场中掺杂浓度分布特征的可控性。本方法在较低温度下实现晶体硅太阳能电池中梯度型背表面场结构，具有工艺简单、成本低、耗能少的特点，适用于晶体硅太阳能电池的规模化工业生产，具有广阔的应用前景。

主权项

晶体硅(p型)太阳能电池的梯度型背表面场，这种梯度型背表面场由铝和硼元素共掺杂形成，具有梯度型浓度分布的结构，其特征是：晶体硅表面附近较浅区域的掺杂以较高浓度的硼掺杂为主，而在晶体硅较深区域则以较低浓度的铝掺杂为主，从表层到深层，掺杂浓度呈梯度型降低。该梯度型背表面场结构是通过在晶体硅表面制备多层膜结构，与电极共烧一步热处理法制备的。