[发明专利]存储装置、存储卡和电子装置有效
| 申请号： | 201010589232.7 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102157540A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李明宰;李东洙;李昌范;李承烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;G06K19/07 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 电子 | ||
【主权项】：
一种包括存储单元的存储装置，所述存储单元包括：双极存储元件；双向开关元件，连接到双极存储元件的端部，双极开关元件具有双向开关特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
