[发明专利]存储装置、存储卡和电子装置

权利要求书

1.一种包括存储单元的存储装置，所述存储单元包括：

双极存储元件；

双向开关元件，连接到双极存储元件的端部，双极开关元件具有双向开关特性。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中，双向开关元件包括：

第一开关元件，连接到双极存储元件的第一端部并具有第一开关方向；

第二开关元件，连接到双极存储元件的第二端部并具有与第一开关方向相反的第二开关方向。

3.如权利要求2所述的存储装置，其中，第一开关元件和第二开关元件是肖特基二极管。

4.如权利要求3所述的存储装置，其中，第一开关元件包括第一半导体层，第二开关元件包括第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层均与双极存储元件接触，双极存储元件、第一半导体层和第二半导体层是氧化物层。

5.如权利要求4所述的存储装置，其中，双极存储元件的氧浓度低于第一半导体层和第二半导体层的氧浓度。

6.如权利要求3所述的存储装置，其中，第一开关元件包括与第一半导体层接触的第一电极，第二开关元件包括与第二半导体层接触的第二电极，

其中，第一电极、第一半导体层、双极存储元件、第二半导体层和第二电极为堆叠结构的形式。

7.如权利要求6所述的存储装置，其中，第一电极和第二电极是Pt层，第一半导体层和第二半导体层是TiO_x(30％)层，双极存储元件是TiO_x(15％)层。

8.如权利要求2所述的存储装置，其中，第一开关元件和第二开关元件是pn二极管。

9.如权利要求8所述的存储装置，其中，第一开关元件包括第一半导体层，第二开关元件包括第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层与双极存储元件接触，导电区域形成在第一半导体层的与双极存储元件接触的部分和第二半导体层的与双极存储元件接触的部分中。

10.如权利要求9所述的存储装置，其中，第一半导体层和第二半导体层是n型氧化物层，所述导电区域的氧浓度低于第一半导体层的除了导电区域之外的剩余区域和第二半导体层的除了导电区域之外的剩余区域的氧浓度。

11.如权利要求9所述的存储装置，其中，第一半导体层和第二半导体层是p型氧化物层，导电区域的氧浓度高于第一半导体层的除了导电区域之外的剩余区域和第二半导体层的除了导电区域之外的剩余区域的氧浓度。

12.如权利要求8所述的存储装置，其中，双极存储元件由氧化物形成。

13.如权利要求2所述的存储装置，其中，双极存储元件的至少一部分形成第一开关元件的一部分和第二开关元件的一部分。

14.如权利要求13所述的存储装置，其中，存储单元还包括：

第一半导体层，具有第一导电类型；

第二半导体层和第三半导体层，具有第二导电类型且设置在第一导电层的端部，

其中，第一半导体层是双极存储元件，第一半导体层和第二半导体层形成所述第一开关元件，第一半导体层和第三半导体层形成所述第二开关元件。

15.如权利要求2所述的存储装置，其中，双极存储元件包括氧化物电阻器。

16.如权利要求15所述的存储装置，其中，氧化物电阻器包含从包括以下物质的组中选择的至少一种材料：Ti氧化物、Ni氧化物、Cu氧化物、Co氧化物、Hf氧化物、Zr氧化物、Zn氧化物、W氧化物、Nb氧化物、TiNi氧化物、LiNi氧化物、Al氧化物、InZn氧化物、V氧化物、SrZr氧化物、SrTi氧化物、Cr氧化物、Fe氧化物、Ta氧化物和PrCaMnO。

17.如权利要求15所述的存储装置，其中，第一开关元件和第二开关元件均包括氧化物半导体。

18.如权利要求17所述的存储装置，其中，氧化物半导体与氧化物电阻器包含同一族的氧化物。

19.如权利要求17所述的存储装置，其中，氧化物半导体与氧化物电阻器包含不同族的氧化物。