[发明专利]RFID系统的电子标签的解调器电路

摘要

本发明公开了一种RFID系统的电子标签的解调器电路，与常规设计不同，是直接从整流器输出的电源PWR_DEMO上去取解调信号，采用一种非对称的电路设计来将微弱的信号解调放大和整形输出。具体而言，本发明所述解调器电路采用包络检波法进行解调，并采用二级比较电路。本发明RFID系统的电子标签的解调器电路可以实现ISO/IEC 14443-3标准定义的TYPE B类型的10％的ASK调制信号的解调。

主权项

一种RFID系统的电子标签的解调器电路，其特征是，包括13个MOS晶体管、2个电阻、1个电容(C1)、1个运算放大器(A1)和2个反相器；RFID系统的电子标签的整流器输出的稳压的工作电压(VCC)、去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)、参考电压(Vref)作为所述解调器电路的输入；第一MOS晶体管(M1)的基极和集电极相连接，并通过第一电阻(R1)连接稳压的工作电压(VCC)；第一MOS晶体管(M1)的发射极接地；第二MOS晶体管(M2)的基极和集电极相连接，发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；第三MOS晶体管(M3)的基极连接第一MOS晶体管(M1)的基极，第三MOS晶体管(M3)的集电极连接第二MOS晶体管(M2)的基极，第三MOS晶体管(M3)的发射极接地；第四MOS晶体管(M4)的基极接地，发射极接第二MOS晶体管(M2)的基极；第五MOS晶体管(M5)的基极接第四MOS晶体管(M4)的集电极，第五MOS晶体管(M5)的集电极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；第六MOS晶体管(M6)的基极连接第一MOS晶体管(M1)的基极，第六MOS晶体管(M6)的集电极接第五MOS晶体管(M5)的发射极，第六MOS晶体管(M6)的发射极接地；第七MOS晶体管(M7)的集电极通过第二电阻(R2)接第二MOS晶体 管(M2)的基极，第七MOS晶体管(M7)的发射极接第五MOS晶体管(M5)的发射极；第八MOS晶体管(M8)的集电极接第七MOS晶体管(M7)的集电极，第八MOS晶体管(M8)的发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；第九MOS晶体管(M9)的基极接第一MOS晶体管(M1)的基极，第九MOS晶体管(M9)的发射极接地；第十MOS晶体管(M10)的基极接第七MOS晶体管(M7)的集电极，第十MOS晶体管(M10)的集电极接第八MOS晶体管(M8)的基极，第十MOS晶体管(M10)的发射极接第九MOS晶体管(M9)的集电极；第十一MOS晶体管(M11)的基极通过第一电容(C1)接地，发射极连接第九MOS晶体管(M9)的集电极；第十二MOS晶体管(M12)的基极和集电极相连接，并接到第八MOS晶体管(M8)的基极，第十二MOS晶体管(M12)的发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；第十三MOS晶体管(M13)的基极接第十二MOS晶体管(M12)的基极，第十三MOS晶体管(M13)的集电极接第十一MOS晶体管(M11)的集电极，第十三MOS晶体管(M13)的发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；第一运算放大器(A1)的正输入端接第十一MOS晶体管(M11)的集电极，负输入端接参考电压(Vref)；第一反相器(I1)的输入端接第一运算放大器(A1)的输出端，第一反相器(I1)的输出端接第七MOS晶体管(M7)的基极；第二反相器(I2)的输入端接第一反相器(I1)的输出端，第二反相器(I2)的输出端输出解调信号(Data)。