[发明专利]RFID系统的电子标签的解调器电路

权利要求书

1.一种RFID系统的电子标签的解调器电路，其特征是，包括13个MOS晶体管、2个电阻、1个电容(C1)、1个运算放大器(A1)和2个反相器；

RFID系统的电子标签的整流器输出的稳压的工作电压(VCC)、去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)、参考电压(Vref)作为所述解调器电路的输入；

第一MOS晶体管(M1)的基极和集电极相连接，并通过第一电阻(R1)连接稳压的工作电压(VCC)；第一MOS晶体管(M1)的发射极接地；

第二MOS晶体管(M2)的基极和集电极相连接，发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；

第三MOS晶体管(M3)的基极连接第一MOS晶体管(M1)的基极，第三MOS晶体管(M3)的集电极连接第二MOS晶体管(M2)的基极，第三MOS晶体管(M3)的发射极接地；

第四MOS晶体管(M4)的基极接地，发射极接第二MOS晶体管(M2)的基极；

第五MOS晶体管(M5)的基极接第四MOS晶体管(M4)的集电极，第五MOS晶体管(M5)的集电极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；

第六MOS晶体管(M6)的基极连接第一MOS晶体管(M1)的基极，第六MOS晶体管(M6)的集电极接第五MOS晶体管(M5)的发射极，第六MOS晶体管(M6)的发射极接地；

第七MOS晶体管(M7)的集电极通过第二电阻(R2)接第二MOS晶体管(M2)的基极，第七MOS晶体管(M7)的发射极接第五MOS晶体管(M5)的发射极；

第八MOS晶体管(M8)的集电极接第七MOS晶体管(M7)的集电极，第八MOS晶体管(M8)的发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；

第九MOS晶体管(M9)的基极接第一MOS晶体管(M1)的基极，第九MOS晶体管(M9)的发射极接地；

第十MOS晶体管(M10)的基极接第七MOS晶体管(M7)的集电极，第十MOS晶体管(M10)的集电极接第八MOS晶体管(M8)的基极，第十MOS晶体管(M10)的发射极接第九MOS晶体管(M9)的集电极；

第十一MOS晶体管(M11)的基极通过第一电容(C1)接地，发射极连接第九MOS晶体管(M9)的集电极；

第十二MOS晶体管(M12)的基极和集电极相连接，并接到第八MOS晶体管(M8)的基极，第十二MOS晶体管(M12)的发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；

第十三MOS晶体管(M13)的基极接第十二MOS晶体管(M12)的基极，第十三MOS晶体管(M13)的集电极接第十一MOS晶体管(M11)的集电极，第十三MOS晶体管(M13)的发射极连接去除载波的带调制信号的电源电压(PWR_DEMO)；

第一运算放大器(A1)的正输入端接第十一MOS晶体管(M11)的集电极，负输入端接参考电压(Vref)；

第一反相器(I1)的输入端接第一运算放大器(A1)的输出端，第一反相器(I1)的输出端接第七MOS晶体管(M7)的基极；

第二反相器(I2)的输入端接第一反相器(I1)的输出端，第二反相器(I2)的输出端输出解调信号(Data)。

2.根据权利要求1所述的RFID系统的电子标签的解调器电路，其特征是，所述第一MOS晶体管(M1)、第三MOS晶体管(M3)、第五MOS晶体管(M5)、第六MOS晶体管(M6)、第七MOS晶体管(M7)、第九MOS晶体管(M9)、第十MOS晶体管(M1O)、第十一MOS晶体管(M11)、第十四MOS晶体管(M14)、第十五MOS晶体管(M15)、第十六MOS晶体管(M16)、第十七MOS晶体管(M17)、第十八MOS晶体管(M18)、第十九MOS晶体管(M19)、第二十MOS晶体管(M20)、第二十一MOS晶体管(M21)是NMOS；

第二MOS晶体管(M2)、第四MOS晶体管(M4)、第八MOS晶体管(M8)、第十二MOS晶体管(M12)、第十三MOS晶体管(M13)是PMOS。

3.根据权利要求1所述的RFID系统的电子标签的解调器电路，其特征是，所述第四晶体管(M4)和第一电容(C1)构成了一个积分器，当输入为高电平时，所述积分器给第一电容(C1)充电；当输入为低电平时，所述积分器从第一电容(C1)放电。