[发明专利]一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法无效
| 申请号： | 201010588051.2 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102543718A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王波;陈小龙;刘春俊;郑红军 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100190 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法。所述方法包括如下步骤：在研磨抛光完碳化硅晶片上施加机械应力使晶片产生向平整度减小方向的变形，其机械应力的大小为使晶片达到期望小的翘曲度、弯曲度；同时，将晶片加热到的足够高的温度，进行退火并保持足够长时间，以使其晶格发生滑移、重排，从而将晶片的变形保留下来，达到所获晶片具备足够小的翘曲度、弯曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 晶片 曲度 弯曲 方法 | ||
【主权项】：
一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法，其步骤具体包括：将研磨抛光完晶片固定，在晶片上施加机械应力使晶片产生向平整度减小方向的变形，其机械应力的大小为使晶片达到期望小的翘曲度、弯曲度；同时，将晶片加热到的足够高的温度，进行退火并保持足够长时间，以使其晶格发生滑移、重排，从而将晶片的形变保留下来，达到所获晶片具备足够小的翘曲度、弯曲度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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