[发明专利]一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法

权利要求书

1.一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法，其步骤具体包括：

将研磨抛光完晶片固定，在晶片上施加机械应力使晶片产生向平整度减小方向的变形，其机械应力的大小为使晶片达到期望小的翘曲度、弯曲度；

同时，将晶片加热到的足够高的温度，进行退火并保持足够长时间，以使其晶格发生滑移、重排，从而将晶片的形变保留下来，达到所获晶片具备足够小的翘曲度、弯曲度。

2.如权利要求1所述，其中碳化硅晶片多型包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC和/或15R-SiC。

3.如权利要求1所述，其中碳化硅晶片尺寸包括2inch、3inch、4inch及4inch以上。

4.如权利要求1所述，其包括施加在晶片上机械应力的方向为使晶片发生向翘曲度、弯曲度减小，施加机械应力的大小为使晶片达到期望小的翘曲度、弯曲度。

5.如权利要求1所述，其中加热温度为范围为高于使碳化硅晶片发生高温重排要求的温度，低于在环境条件下碳化硅晶片发生不利的升华温度，从而在热力学上使晶片中的晶格发生滑移、重排；在该温度条件下保持足够时间，时间为高于晶格发生充分地滑移、重排需要的时间；以及以缓慢冷却速度降至常温。

6.如权利要求1所述，其包括减小晶片翘曲度、弯曲度，以使获得晶片的翘曲度低于20um、弯曲度小于10um。

7.如权利要求1所述，其包括减小晶片翘曲度、弯曲度，以使获得晶片的翘曲度低于5um、弯曲度小于3um。

8.如权利要求4所述，其中施加期望机械应力的方法包括将晶片放于具备足够小平整度表面的两夹板之间，对平板施加机械压力，从而使晶片按照夹板的表面产生形变。

9.如权利要求4所述，其中施加期望机械应力的方法包括将晶片放于具备与晶片翘曲相反的表面的两夹板之间，对平板施加机械压力，从而使晶片按照夹板的表面产生形变。

10.如权利要求5所述，其加热晶片的温度范围为：100-2000℃。

11.如权利要求5所述，其中保持时间为0.1-200h。

12.如权利要求5或8所述，其加热方式包括以电阻加热、红外加热或感应加热。

13.如权利要求5所述，降温速率为1-1000℃/h。

14.如权利要求5所述，其包括在晶片和加热系统中充入保护气氛的气体，以使晶片和加热系统在加热温度下不发生化学反应。

15.如权利要求12所述，保护气氛可以为惰性气体，或者在低的加热温度条件下为空气。