[发明专利]可调节沟道应力的器件与方法有效
| 申请号： | 201010586003.X | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102487086A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可调节沟道应力的器件与方法。提供一种MOS器件(200、300)，包括半导体衬底(202、302)；形成在半导体衬底(202、302)上的沟道；形成在沟道上的栅介电层(204、304)；形成在栅介电层(204、304)上的栅极导体(206、306)；以及形成在栅极两侧的源极与漏极；其中所述栅极导体(206、306)具有产生施加到沟道中的第一应力以调节沟道中载流子的迁移率的形状。本发明可以通过控制刻蚀工艺参数来调节栅极导体的形状，方便地调节沟道中的应力大小，同时可以与其他产生应力的机制组合使用，得到希望得到的沟道应力。 | ||
| 搜索关键词： | 调节 沟道 应力 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件(200、300)，包括半导体衬底(202、302)；形成在半导体衬底(202、302)上的沟道；形成在沟道上的栅介电层(204、304)；形成在栅介电层(204、304)上的栅极导体(206、306)；以及形成在栅极两侧的源极与漏极；其中所述栅极导体(206、306)具有产生施加到沟道中的第一应力以调节沟道中载流子的迁移率的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010586003.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：安全气囊舱体支脚螺钉返修检测工具
- 下一篇：隧道重定向的方法及互通功能实体
- 同类专利
- 专利分类
