[发明专利]一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010584342.4 | 申请日： | 2010-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102071402A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 毛启明;牟海川;姜来新 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人： | 唐莉莎 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，具体地是一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：基片清洗后，放入磁控溅射装置室中，其反应室内抽至超高真空，采用高纯度金属作和高纯度氧化锌为原料靶材，实现两种靶材的共溅射镀膜；以氩气和高纯氧气按一定比例混合的气体作为溅射气体和反应气体，经流量计控制流量输入反应室中，进行溅射生长；制备完毕的薄膜在真空环境下退火处理。该方法简化了氧化锌均匀掺杂的工艺过程，缩短了研发成本，并且该工艺过程稳定可靠，有益于实现大规模工业化的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)基片清洗后，放入磁控溅射装置室中，其反应室内抽至高真空；2)采用高纯度金属纯度高于99.96％作为掺杂物靶材、高纯度氧化锌纯度高于99.96％为原料靶材，实现共溅射镀膜；3)以氩气和高纯氧气混合气体作为溅射气体和反应气体，氩气和氧气的流量比为3∶1～1∶1；4)在压强0.5～2帕斯卡、温度50‑100度的低温条件下，进行溅射生长金属掺杂氧化锌基薄膜；5)；氧化锌中金属的掺杂量可以通过溅射时的溅射功率来控制，金属靶与氧化锌靶的溅射功率比为：1∶1～1∶1.6，氧化锌的溅射功率为50瓦6)制备完毕的薄膜在真空环境下退火处理，降至室温取出样品。
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