[发明专利]一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法无效
| 申请号: | 201010584342.4 | 申请日: | 2010-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN102071402A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
| 发明(设计)人: | 毛启明;牟海川;姜来新 | 申请(专利权)人: | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司: | 上海东方易知识产权事务所 31121 | 代理人: | 唐莉莎 |
| 地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属 掺杂 氧化锌 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)基片清洗后,放入磁控溅射装置室中,其反应室内抽至高真空;
2)采用高纯度金属纯度高于99.96%作为掺杂物靶材、高纯度氧化锌纯度高于99.96%为原料靶材,实现共溅射镀膜;
3)以氩气和高纯氧气混合气体作为溅射气体和反应气体,氩气和氧气的流量比为3∶1~1∶1;
4)在压强0.5~2帕斯卡、温度50-100度的低温条件下,进行溅射生长金属掺杂氧化锌基薄膜;
5);氧化锌中金属的掺杂量可以通过溅射时的溅射功率来控制,金属靶与氧化锌靶的溅射功率比为:1∶1~1∶1.6,氧化锌的溅射功率为50瓦
6)制备完毕的薄膜在真空环境下退火处理,降至室温取出样品。
2.如权利要求1所述的一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法,所述的金属为铜、或银、或钯。
3.如权利要求1所述的一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法,其特征在于,所述的退火处理的真空度小于1×10-3帕斯卡,退火温度为600~800度,退火时间为10~25分钟。
4.如权利要求1所述的一种金属掺杂氧化锌基薄膜的制备方法,其特征在于,所述的衬底为硅片、或石英玻璃、或玻璃。
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