[发明专利]一种集成电路用磷铜阳极的制备方法有效
| 申请号： | 201010581922.8 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102485924A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 高岩;王欣平;何金江;刘书芹;熊晓东 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研亿金新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/03;C25D17/10 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路用磷铜阳极的制备方法，采用高纯度石墨作为坩埚和模具材料，在高真空中频感应熔炼炉中熔化纯度为99.99％及以上的高纯铜铸锭，在1150～1300℃中加入含磷6～16wt.％的磷铜中间合金，加入磷铜中间合金与高纯铜铸锭的重量比为1∶50～600，在1150～1300℃下保温20～30min，再静置20分钟后，浇入石墨模具，得到磷铜合金铸锭；得到的磷铜合金铸锭切除铸锭冒口后，经过多向锻造和轧制，以及在300～600℃保温0.5～12小时再结晶处理后，经过表面处理，机械加工出集成电路用磷铜阳极。该方法制备的磷铜阳极具有杂质含量低，氧含量低，磷含量分布均匀，晶粒细小、均匀等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 用磷铜 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路用磷铜阳极的制备方法，包括以下步骤：(1)原材料选用纯度为99.99％及以上的高纯铜铸锭和含磷6～16wt％的磷铜中间合金；(2)熔炼铜：在高真空中频感应熔炼炉中加入烘干的纯度为99.99％及以上的高纯铜铸锭，加热熔炼；(3)待铜铸锭完全融化后，在1150～1300℃下加入所述磷铜中间合金，加入磷铜中间合金与高纯铜铸锭的重量比为1∶50～600，融化、混合均匀；(4)铸造：将所得的熔液在1150～1300℃下保温20～30min，再静置20分钟后，浇入石墨模具，得到磷铜合金铸锭；(5)将得到的磷铜合金铸锭，切除铸锭冒口后，去除表面粗糙层，在常温下进行多向锻造变形，变形量达到60％以上；然后进行轧制变形，变形量达50％以上；变形后进行后续的热处理，最后经过表面处理，机械加工得到集成电路用磷铜阳极。
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