[发明专利]一种集成电路用磷铜阳极的制备方法

权利要求书

1.一种集成电路用磷铜阳极的制备方法，包括以下步骤：

(1)原材料选用纯度为99.99％及以上的高纯铜铸锭和含磷6～16wt％的磷铜中间合金；

(2)熔炼铜：在高真空中频感应熔炼炉中加入烘干的纯度为99.99％及以上的高纯铜铸锭，加热熔炼；

(3)待铜铸锭完全融化后，在1150～1300℃下加入所述磷铜中间合金，加入磷铜中间合金与高纯铜铸锭的重量比为1∶50～600，融化、混合均匀；

(4)铸造：将所得的熔液在1150～1300℃下保温20～30min，再静置20分钟后，浇入石墨模具，得到磷铜合金铸锭；

(5)将得到的磷铜合金铸锭，切除铸锭冒口后，去除表面粗糙层，在常温下进行多向锻造变形，变形量达到60％以上；然后进行轧制变形，变形量达50％以上；变形后进行后续的热处理，最后经过表面处理，机械加工得到集成电路用磷铜阳极。

2.根据权利要求1所述的集成电路用磷铜阳极的制备方法，其特征在于：在熔炼铜之前，先在高真空中频感应熔炼炉中用纯度为99.99％的高纯铜铸锭洗炉2次。

3.根据权利要求1所述的集成电路用磷铜阳极的制备方法，其特征在于：所述的多向锻造变形为三向锻造变形。

4.根据权利要求1所述的集成电路用磷铜阳极的制备方法，其特征在于：所述的热处理为在300～600℃下保温0.5～12小时。

5.根据权利要求1所述的集成电路用磷铜阳极的制备方法，其特征在于：所述机械加工得到的集成电路用磷铜阳极的外形为圆形、方形或异形，为单体或组合体。

6.根据权利要求1所述的集成电路用磷铜阳极的制备方法，其特征在于：所得集成电路用磷铜阳极中，磷含量为100～3000ppm，且分布均匀；氧含量为2～100ppm，其余杂质含量总和小于100ppm，晶粒在20～500μm之间。