[发明专利]一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法无效
| 申请号： | 201010581907.3 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102485420A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 葛钟;闫志瑞;库黎明;索思卓;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法，它包括以下几个步骤：(1)、将经切片、倒角后的硅片置于垂直状态，使用砂粒粒径大于或等于5微米，小于或等于10微米的砂轮，对硅片的两面同时进行加工；(2)、将硅片置于水平状态，固定硅片一面，使用砂粒粒径小于或等于1微米的砂轮，对硅片另一表面进行修整磨削加工，加工完成后翻转硅片，继续对硅片未被加工的一面进行磨削加工，修整硅片表面形貌。本发明的优点是排除了使用化学腐蚀方法，一方面降低硅片加工的成本，另一方面克服化学腐蚀方法带入的安全和环境问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 表面 粗糙 损伤 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法，其特征在于：它包括以下几个步骤：(1)、将经切片、倒角后的硅片置于垂直状态，使用砂粒粒径大于或等于5微米，小于或等于10微米的砂轮，对硅片的两面同时进行加工；(2)、将硅片置于水平状态，固定硅片一面，使用砂粒粒径小于或等于1微米的砂轮，对硅片另一表面进行修整磨削加工，加工完成后翻转硅片，继续对硅片未被加工的一面进行磨削加工，修整硅片表面形貌。
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