[发明专利]一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法无效
| 申请号: | 201010581907.3 | 申请日: | 2010-12-06 | 
| 公开(公告)号: | CN102485420A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 | 
| 发明(设计)人: | 葛钟;闫志瑞;库黎明;索思卓;盛方毓 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料股份有限公司 | 
| 主分类号: | B24B7/22 | 分类号: | B24B7/22;H01L21/02 | 
| 代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 | 
| 地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 降低 硅片 表面 粗糙 损伤 加工 方法 | ||
1.一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法,其特征在于:它包括以下几个步骤:
(1)、将经切片、倒角后的硅片置于垂直状态,使用砂粒粒径大于或等于5微米,小于或等于10微米的砂轮,对硅片的两面同时进行加工;
(2)、将硅片置于水平状态,固定硅片一面,使用砂粒粒径小于或等于1微米的砂轮,对硅片另一表面进行修整磨削加工,加工完成后翻转硅片,继续对硅片未被加工的一面进行磨削加工,修整硅片表面形貌。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法,其特征在于:所述的硅片置于垂直状态,是通过向硅片两面喷射静压水,以维持硅片的垂直状态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料股份有限公司,未经有研半导体材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010581907.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据遗漏值的填补系统及方法
 - 下一篇:发动机的排放气体控制方法
 





