[发明专利]硅晶片背面的封装结构无效
| 申请号： | 201010577087.0 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487072A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 邱恒德;吴俊泰;林东一 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶片背面的封装结构，其包含有一半导体基材以及一多层结构层；多层结构层设于半导体基材的背面，且多层结构层是由一非晶硅层(Amorphous Silicon)以及一氧化层(如二氧化硅层)所组合而成。通过非晶硅层表面的晶格方向散乱的特性，使本发明的硅晶片背面的封装结构能够有效地减少硅结节(Si Nodule)现象的产生，并提升晶片制造时的成品率及品质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 背面 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种硅晶片背面的封装结构，包括：一半导体基材；一多层结构层，其设于半导体基材的底面，且该多层结构层包含一非晶硅层与一氧化层。
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