[发明专利]硅晶片背面的封装结构无效
| 申请号： | 201010577087.0 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102487072A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 邱恒德;吴俊泰;林东一 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 背面 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶片背面的封装结构，包括：
一半导体基材；
一多层结构层，其设于半导体基材的底面，且该多层结构层包含一非晶硅层与一氧化层。
2.根据权利要求1所述的硅晶片背面的封装结构，其中该多层结构层的氧化层为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的硅晶片背面的封装结构，其中该多层结构层的氧化层为氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的硅晶片背面的封装结构，其中该氧化层成形于半导体基材与非晶硅层之间。
5.根据权利要求1所述的硅晶片背面的封装结构，其中该非晶硅层成形于半导体基材与氧化层之间。
6.根据权利要求1所述的硅晶片背面的封装结构，其中该非晶硅层以选自于化学气相沉积法或物理气相沉积法所沉积而成的非晶硅层。
7.根据权利要求2所述的硅晶片背面的封装结构，其中该氧化层是选自于化学气相沉积法或物理气相沉积法所沉积而成的氧化层。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的硅晶片背面的封装结构，其中进一步包含一多晶硅层，该多晶硅层成形于半导体基材与多层结构层之间。
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