[发明专利]半导体C∕B(E)间电压测试电路

摘要

本发明涉及一种半导体C/B（E）间测试电压电路。现有技术的半导体测试仪C/B(E)极间电压一般在千伏内，且测试精度较低，故障率较高。为了解决现有技术中的缺陷，本专利的技术方案是：一种半导体C∕B(E)极间测试电压电路，包括C极电压采集分压电路，B(E)极电压采集分压电路，C∕B(E)极间测压仪表放大器，1/2分压单元和输出跟随器电路；所述C极电压采集分压电路和B(E)极电压采集分压电路的输入端分别连接C极和B(E)极，输出端分别连接跟随器I和跟随器II的输入端，跟随器I和跟随器II的输出端分别连接仪表放大器的两个输入端。本专利技术能够测试千伏以上乃至数千伏的高压，而且精度高，工作十分稳定，大大扩展了半导体测试仪的适用范围。

主权项

一种半导体C∕B(E)极间电压测试电路，其特征在于是：包括C极电压采集分压电路、B(E)极电压采集分压电路、C∕B(E)极间测压仪表放大器、1/2分压网络和输出跟随器电路，所述C极电压采集分压电路和B(E)极电压采集分压电路的输入端分别连接C极和B(E)极，输出端分别连接跟随器1和跟随器2的输入端，跟随器1和跟随器2的输出端分别连接仪表放大器的两个输入端，仪表放大器输出端接分压网络，分压网络的输出端连接INBS模块，INBS模块连接ADC单元。