[发明专利]一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010575867.1 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102543107A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;张永军;杨景海 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可应用于高密度磁存储的纳米结构材料的制备方法，具体的说是一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法。该制备方法包括以下步骤：①衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积Co/Pt多层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有垂直磁各向异性纳米点。本方法制备的纳米点阵列边缘结构完整、存储性能好、垂直各向异性强的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 各向异性 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积Co/Pt多层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有垂直磁各向异性纳米点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林师范大学，未经吉林师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010575867.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：HID安定器延时装置
- 下一篇：双莫斯管异步控制HID变压器频率输出装置
