[发明专利]一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法

权利要求书

1.一种具有垂直磁各向异性纳米点阵列的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：

①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；

②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积Co/Pt多层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有垂直磁各向异性纳米点。

2.根据权利要求1所述的一种垂直磁各向异性纳米点的制备方法，其特征在于：所述制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底的步骤包括：a、将胶体小球铺展在水面；b、使小球单层密排在一起形成有序的单层膜；c、将有序的单层膜转移到衬底上。

3.根据权利要求1所述的一种垂直磁各向异性纳米点的制备方法，其特征在于：所述胶体阵列球面衬底上沉积薄膜时，薄膜的厚度沿球面逐渐减小，其厚度关系式为t=t₀sinθ。

4.根据权利要求1所述的一种垂直磁各向异性纳米点的制备方法，其特征在于：所述Co/Pt多层膜存在产生垂直磁各向异性的临界角度θ_c，对于角度小于θ_c时，该多层膜不表现垂直磁各向异性；对于角度大于θ_c时，该多层膜具有垂直磁各向异性。

5.根据权利要求1所述的一种垂直磁各向异性纳米点的制备方法，其特征在于：所述向密堆排列单层胶体球阵列衬底上沉积薄膜时，阴影效应使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，穿过小球间隙沉积到衬底上的薄膜，由于厚度被削减了1/3而形成合金，不具垂直磁各向异性。

6.根据权利要求1所述的一种垂直磁各向异性纳米点的制备方法，其特征在于：所述沉积Co/Pt多层膜薄膜子层厚度Co为0.5-2.0nm，Pt为0.8-3nm时，产生垂直磁各向异性的纳米结构对应的角度θ_c为30-15o。