[发明专利]一种对深盲孔进行电镀的方法

摘要

本发明公开了一种对深盲孔进行电镀的方法，该方法适用于电镀金、镍、铜、银等金属及其合金的深盲孔的电镀，包括清洗半导体芯片；在半导体芯片上生长一层刻蚀阻挡层；在阻挡层上涂上光刻胶，曝光、显影，光刻出腐蚀区；通过干法、湿法等方法刻蚀出没有被光刻胶覆盖的阻挡层；采用乙醇、丙酮去掉光刻胶；采用ICP刻蚀出需要的深度，去掉多余的阻挡层；蒸发/溅射启镀层；根据盲孔的深度与宽度调节喷镀所需要气体与溶液所需要的强度。本发明解决了深盲孔电镀的问题，满足了集成电镀的背金的电镀，特别是在大功率的集成电路的散热的需要。

主权项

一种对深盲孔进行电镀的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：清洗半导体衬底；步骤2：在半导体衬底上生长一层介质，作为刻蚀阻挡层；步骤3：在刻蚀阻挡层上涂上一层光刻胶，然后曝光、显影，光刻出需要刻蚀的区域；步骤4：刻蚀出没有被光刻胶覆盖的介质层；步骤5：采用丙酮和乙醇去掉光刻胶；步骤6：用ICP刻蚀出所需要厚度的盲孔；步骤7：腐蚀掉剩下的阻挡层；步骤8：在半导体衬底上蒸发或溅射电镀种子层，以覆盖整个半导体衬底为准；步骤9：根据盲孔的深度调节喷镀所需要气体与溶液所需要的强度，根据半导体衬底的面积与厚度计算电镀的电流与时间，在电镀种子层上进行电镀，电镀出一层金属层。