[发明专利]一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010573965.1 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102074584A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;江婷婷;王鹏飞;张卫;江安全 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅介质隔离开，可以免去石墨烯上的缓冲层生长工艺，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，从而进一步提高石墨烯器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 石墨 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种空气隙石墨烯晶体管，其特征在于包括：一个半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一绝缘体层；位于所述第一绝缘体层之上的栅电极；位于所述栅电极之上的第二绝缘体层；位于所述第二绝缘体层之上的源、漏电极；位于所述源、漏电极之上的石墨烯层；所述的石墨烯层与所述第二绝缘体层、所述栅电极通过空气隙相隔离。
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