[发明专利]一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010573965.1 | 申请日： | 2010-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102074584A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;江婷婷;王鹏飞;张卫;江安全 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 空气 石墨 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种空气隙石墨烯晶体管，其特征在于包括：
一个半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的第一绝缘体层；
位于所述第一绝缘体层之上的栅电极；
位于所述栅电极之上的第二绝缘体层；
位于所述第二绝缘体层之上的源、漏电极；
位于所述源、漏电极之上的石墨烯层；
所述的石墨烯层与所述第二绝缘体层、所述栅电极通过空气隙相隔离。
2.根据权利要求1所述的空气隙石墨烯晶体管，其特征在于，所述的第一绝缘体层材料为二氧化硅或者为氮化硅，其厚度为200-400纳米。
3.根据权利要求1或2所述的空气隙石墨烯晶体管，其特征在于，所述的第二绝缘体层材料为二氧化硅或氮化硅，或者为Ta2O5、Pr2O3、HfO2、Al2O3或ZrO2，其厚度为3-20纳米。
4.一种空气隙石墨烯晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤为：
提供一个半导体衬底；
形成第一层绝缘薄膜；
形成第一层金属；
形成第二层绝缘薄膜；
形成第二层金属；
光刻形成源、漏电极图形；
提供一个硅衬底；
在所述硅衬底上形成一层镍薄膜；
在所述镍薄膜上形成石墨烯层；
刻蚀所述镍薄膜，并将形成的石墨烯层转移到形成有源、漏电极图形的半导体衬底上。
5.根据权利要求4所述的空气隙石墨烯晶体管的制造方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜的材料为二氧化硅或者为氮化硅，其厚度范围为200-400纳米。
6.根据权利要求4或5所述的空气隙石墨烯晶体管的制造方法，其特征在于，所述的第一层金属为Pt、Al、Au或Pd，其厚度为60-90纳米。
7.根据权利要求4或5所述的空气隙石墨烯晶体管的制造方法，其特征在于，所述的第二层绝缘薄膜材料为二氧化硅或氮化硅，或者为Ta2O5、Pr2O3、HfO2、Al2O3或ZrO2，其厚度为3-20纳米。
8.根据权利要求4或5所述的空气隙石墨烯晶体管的制造方法，其特征在于，所述的第二层金属为Pt、Al、Ru、TiN或TaN，其厚度为60-90纳米。
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