[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及P型赝埋层、N型多晶硅。赝埋层形成于集电区周围的浅槽场氧底部并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部形成的深孔接触引出集电极。N型多晶硅形成于基区上部并用来引出基极。发射区由形成于基区内P型浅结和基区上方的P型多晶硅组成。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择。本发明能有效缩小器件面积、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的频率性能、提高器件的增益。本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

主权项

一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述集电区周围的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；一发射区，由形成于所述基区内的一P型浅结和所述基区上方的一P型多晶硅组成，直接通过一金属接触引出所述发射极；一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，通过在所述N型多晶硅上做金属接触引出基极。