[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及制造方法

权利要求书

1.一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；

一赝埋层，由形成于所述集电区周围的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；

一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；

一发射区，由形成于所述基区内的一P型浅结和所述基区上方的一P型多晶硅组成，直接通过一金属接触引出所述发射极；

一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，通过在所述N型多晶硅上做金属接触引出基极。

2.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述集电区的P型离子注入的注入杂质为硼，分两步注入实现：第一步注入剂量为1e11cm^-2～5e13cm^-2、注入能量为100keV～300keV；第二步注入剂量为5e11cm^-2～1e13cm^-2、注入能量为30keV～100keV。

3.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述赝埋层是在浅沟槽形成后、浅槽场氧填入前通过P型离子注入并进行退火推进形成，所述赝埋层的P型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为小于15keV、注入杂质为硼或二氟化硼。

4.如权利要求3所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述赝埋层的退火温度为900℃～1100℃，退火时间为10分钟～60分钟。

5.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述基区是在浅沟槽形成后、浅槽场氧填入前通过N型离子注入形成，所述基区的N型离子注入要穿过所述有源区上的氮化硅硬质掩模，所述基区的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为磷或者砷、能量条件为100Kev～300Kev、剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2。

6.如权利要求5所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述氮化硅硬质掩模的厚度为300埃～800埃。

7.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述N型多晶硅采用离子注入工艺进行掺杂，掺杂工艺条件为：注入剂量为1e13cm^-2～1e16cm^-2、能量为15keV～200keV、注入杂质为砷或磷。

8.如权利要求1所述的SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管，其特征在于：所述发射区的所述P型多晶硅是在多晶硅中进行P型离子注入形成，通过对所述P型多晶硅进行退火推进使所述P型多晶硅中的P型离子推进到所述基区中形成P型浅结；所述P型多晶硅的P型离子注入工艺条件为：注入剂量为大于1e15cm^-2、注入能量为100keV～200keV、注入杂质为硼或二氟化硼，所述P型多晶硅的退火推进为快速热退火，温度为1000℃，时间为30s。

9.如权利要求1所述的SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管，其特征在于：所述P型多晶硅和所述N型多晶硅通过第一介质层隔离，所述第一介质层为氧化硅、氮化硅、氧化硅加氮化硅或氮氧化硅加氮化硅。