[发明专利]一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构无效
| 申请号： | 201010572246.8 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102485944A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/06;C23C16/40;C23C16/34;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结构简单、制作方便，相对传统外延结构，包括衬底、过渡层、有源层、缺陷阻挡层、第一半导体层和第二半导体层，在所述衬底上沉积有缺陷阻挡层。本发明相比较传统外延结构可以提高外延晶体质量，降低器件内部对光的吸收，提高LED器件的整体发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 外延 缺陷 阻挡 结构 | ||
【主权项】：
一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，其特征在于，在外延结构的衬底层上沉积有缺陷阻挡层。
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