[发明专利]一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构无效
| 申请号： | 201010572246.8 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102485944A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/06;C23C16/40;C23C16/34;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 外延 缺陷 阻挡 结构 | ||
1.一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，其特征在于，在外延结构的衬底层上沉积有缺陷阻挡层。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述缺陷阻挡层材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合。
3.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述缺陷阻挡层采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积而成。
4.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平片衬底结构表面的缺陷阻挡层。
5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
6.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的图形化衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于图形化衬底结构表面的外延缺陷阻挡层。
7.根据权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
8.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平面衬底的图形化外延缺陷阻挡层。
9.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
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