[发明专利]一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法

摘要

本发明公开了一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上设一层N型多晶硅薄膜，其上设栅状或梳状铝电极，在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或梳状肖特基PN结。本发明还公开了制备方法：清洁衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化薄膜，以液相外延或真空镀膜的方式镀制N型多晶硅薄膜，然后印刷栅状或梳状引出电极，用强激光照射铝负极使部分铝渗入多晶硅薄膜内部形成栅状或梳状肖特基结，最后烧结。由于PN结为栅状或梳状，有效PN结长度增加，比传统结构的太阳多晶硅薄膜电池提高了转化效率，同时简化了生产过程。

主权项

一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，包括透明衬底，设于透明衬底一侧的透明导电极，设于透明导电极上的钝化层，设于钝化层上方的N型多晶硅薄膜层，其特征在于，结构为：a)所述N型多晶硅薄膜上设置有与所述N型基片构成肖特基结的负电极，所述电极部分参与光电转化结构，部分引出电流。b)所述晶硅薄膜表面设置与所述负电极形状适配的正电极，所述正电极与所述N型基片形成欧姆接触，做为引出电流的另一极。