[发明专利]一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法

权利要求书

1.一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，包括透明衬底，设于透明衬底一侧的透明导电极，设于透明导电极上的钝化层，设于钝化层上方的N型多晶硅薄膜层，其特征在于，结构为：

a)所述N型多晶硅薄膜上设置有与所述N型基片构成肖特基结的负电极，所述电极部分参与光电转化结构，部分引出电流。

b)所述晶硅薄膜表面设置与所述负电极形状适配的正电极，所述正电极与所述N型基片形成欧姆接触，做为引出电流的另一极。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅薄膜为N型多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜上表面与正电极之间设置N+掺杂层；

3.根据权利要求1所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述多晶硅薄膜厚度为1μm-40μm。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述PN结掺杂宽度为0.01mm～5mm，深度为0.1μm～1μm。

5.根据权利要求4所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述正导电极为银电极、铝电极、银铝电极中的一种。

6.由权利要求2所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法，其特征在于衬底可通过腐蚀或者镀膜方式形成一层增加光透率的绒面结构。

7.一种制备权利要求1所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池的方法其特征在于，包括以下步骤：

a)所述钝化层上方镀掺杂浓度下层为N，上层为N⁺的多晶硅薄膜层做为光电转换单元的主体部分。

b)在所述多晶硅薄膜上表面丝印栅状或者梳状的负电极，使用强激光对其进行选择性照射，使部分铝金属掺杂进多晶硅薄膜形成肖特基结，掺杂厚度穿透N⁺层，以形成多个“n”形的栅状或者梳状PN结进行光电转化效应：

c)所述晶硅薄膜表面设置与负导电极形状相适配的正电极，以引出PN结产生的电流。其中正电极面积小于PN结掺杂区面积；

8.根据权利要求7所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述正导电极为银电极、铝电极、银铝电极中的一种。

9.一种制备权利要求1所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)所述钝化层上方设N型多晶硅薄膜层作为光电转换单元的主体部分。

b)对所述N型多晶硅薄膜层整体进行N⁺掺杂，形成下层为N，上层为N⁺的薄膜结构。

c)在所述多晶硅薄膜上表面丝印栅状或者梳状的负电极，使用强激光对其进行选择性照射，使部分铝金属掺杂进多晶硅薄膜形成肖特基结，掺杂厚度穿透N⁺层，以形成多个“n”形的栅状或者梳状P N结进行光电转化效应：

d)所述晶硅薄膜表面设置与负导电极形状相适配的正电极，以引出P N结产生的电流。其中正电极面积小于PN结掺杂区面积；

10.如权利要求7及权利要求9所述的一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法，其特征在于对薄膜的掺杂可以采用离子注入法、扩散法、激光制薄膜PN结等掺杂方式。