[发明专利]基板上的凸块结构与其形成方法有效

专利信息
申请号: 201010569645.9 申请日: 2010-11-24
公开(公告)号: CN102347298A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 郑明达;吕文雄;林志伟;陈静雯;吴逸文;张家栋;何明哲;刘重希 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种基板上的凸块结构与其形成方法,可解决基板上导电层与连接至导电层的金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上),金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好粘着力,并可减少界面分层。在某些实施例中,可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻挡层。在某些实施例中,若金属凸块结构的沉积方法为非电镀工艺且金属凸块的组成不是铜,则可省略凸块下金属层。
搜索关键词: 基板上 结构 与其 形成 方法
【主权项】:
一种基板上的凸块结构,包括:一导电复合层位于该基板上,其中该导电复合层包含一导电保护层位于一导电底层上,且其中该导电保护层与该导电底层沉积于一系统中以避免氧化该导电底层,其中该导电复合层对空气或水的氧化速率小于该导电底层对空气或水的氧化速率;一介电层位于该导电复合层上;一高分子层位于该介电层上;以及一金属凸块,其中该金属凸块填入一光致抗蚀剂层的一第二开口,其中该第二开口是形成于该高分子层的一第一开口上以接触该导电复合层的该导电保护层,且其中该金属凸块与该导电保护层之间具有强力接合。
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