[发明专利]基板上的凸块结构与其形成方法

权利要求书

1.一种基板上的凸块结构，包括：

一导电复合层位于该基板上，其中该导电复合层包含一导电保护层位于一导电底层上，且其中该导电保护层与该导电底层沉积于一系统中以避免氧化该导电底层，其中该导电复合层对空气或水的氧化速率小于该导电底层对空气或水的氧化速率；

一介电层位于该导电复合层上；

一高分子层位于该介电层上；以及

一金属凸块，其中该金属凸块填入一光致抗蚀剂层的一第二开口，其中该第二开口是形成于该高分子层的一第一开口上以接触该导电复合层的该导电保护层，且其中该金属凸块与该导电保护层之间具有强力接合。

2.如权利要求1所述的基板上的凸块结构，其中该第一开口与该高分子层与该光致抗蚀剂层之间的界面衬垫有一凸块下冶金层，且该凸块下冶金层为该金属凸块的一部分。

3.如权利要求1所述的基板上的凸块结构，其中该导电复合层为金属垫、后保护内连线、或顶金属层。

4.一种基板上的凸块结构，包括：

一导电复合层位于该基板上，其中该导电复合层包含一导电保护层位于一导电底层上，且其中该导电保护层与该导电底层沉积于一系统中以避免氧化该导电底层，其中该导电复合层对空气或水的氧化速率小于该导电底层对空气或水的氧化速率；

一介电层位于该导电复合层上；

一高分子层位于该介电层上；

一金属凸块，其中该金属凸块填入一光致抗蚀剂层的一第二开口，其中该第二开口是形成于该高分子层一第一开口上以接触该导电复合层的该导电保护层，且其中该第一开口与该高分子层与该光致抗蚀剂层之间的界面衬垫有一凸块下冶金层，且该凸块下冶金层与该导电保护层之间具有强力接合。

5.如权利要求4所述的基板上的凸块结构，其中该凸块下冶金层为一铜籽晶层。

6.一种基板上的凸块结构的形成方法，包括：

形成一导电复合层于该基板上，其中该导电复合层包含一导电保护层与一导电底层，且沉积该导电底层后立刻沉积该导电保护层以避免该基板暴露于空气或水中；

沉积一介电层于该导电复合层上；

沉积一高分子层于该介电层上；

蚀刻该介电层与该高分子层以形成一第一开口，用以定义一铜柱凸块结构；

沉积一凸块下冶金层，其中该凸块下冶金层包含一铜籽晶层；

形成一光致抗蚀剂图案于该基板上，其中该光致抗蚀剂图案具有一第二开口定义于该第一开口上；以及

沉积一金属柱凸块层，其中该凸块下冶金层与该金属柱凸块层均为该凸块结构的一部分。

7.如权利要求6所述的基板上的凸块结构的形成方法，还包括：

在定义该第二开口后，进行一等离子体表面处理以处理该高分子层露出的表面，其中该等离子体表面处理提高该高分子表面的交联程度，并提高该铜籽晶层与等离子体处理后的该高分子表面的反应性，且交联的该高分子层形成一铜扩散阻挡层。

8.如权利要求7所述的基板上的凸块结构的形成方法，其中该等离子体表面处理采用氧气、氮气、或上述的组合。

9.如权利要求6所述的基板上的凸块结构的形成方法，其中该导电保护层对空气或水的氧化速率小于导电底层对空气或水的氧化速率。

10.如权利要求6所述的基板上的凸块结构的形成方法，其中该导电保护层降低该金属凸块结构与该导电底层之间的分层现象。