[发明专利]应用于三维片上集成系统的薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010568989.8 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102487087A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/8232;H01L21/76;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于三维片上集成系统的薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管位于半导体结构上，所述半导体结构包括：半导体衬底，基于所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上的至少一层局部/全局互连金属层，所述薄膜晶体管包括基于半导体材料在所述互连金属层上形成的栅极、源电极和漏电极，从而可以降低SOC的成本，增强SOC的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 三维 集成 系统 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于三维片上集成系统的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管位于半导体结构上，所述半导体结构包括：半导体衬底，基于所述半导体衬底形成的半导体器件层，位于所述半导体器件层上的至少一层局部/全局互连金属层，所述薄膜晶体管包括基于半导体材料在所述互连金属层上形成的栅极、源电极和漏电极。
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