[发明专利]纳米环型磁隧道结的制造方法、磁阻内存的制造方法有效
| 申请号： | 201010568181.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102479920A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米环型磁隧道结的制造方法、磁阻内存的制造方法，包括，提供磁隧道结；在隧道结上形成直径为第一尺寸的第一圆柱状硬掩模；以第一圆柱状硬掩模为掩模蚀刻磁隧道结，形成圆柱状磁隧道结；从径向对第一圆柱状硬掩模进行修整处理，形成直径为第二尺寸的第二圆柱状硬掩模，第二圆柱状硬掩模露出圆环型的磁隧道结；在第二圆柱状硬掩模露出的磁隧道结上沉积介质材料，形成第一介质层；去除第二圆柱状硬掩模，形成由第一介质层和磁隧道结围成的开口；去除开口露出的磁隧道结直至形成贯穿磁隧道结的贯穿孔，向贯穿孔中沉积介质材料，形成填充于贯穿孔中的第二介质层。本发明中的工艺可在现有产业线上实现，可实现量产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 环型磁 隧道 制造 方法 磁阻 内存 | ||
【主权项】：
一种纳米环型磁隧道结的制造方法，其特征在于，包括，提供磁隧道结；在所述隧道结上形成直径为第一尺寸的第一圆柱状硬掩模；以所述第一圆柱状硬掩模为掩模蚀刻所述磁隧道结，形成圆柱状磁隧道结；从径向对所述第一圆柱状硬掩模进行修整处理，形成直径为第二尺寸的第二圆柱状硬掩模，所述第二圆柱状硬掩模露出圆环型的磁隧道结；在所述第二圆柱状硬掩模露出的磁隧道结上沉积介质材料，形成第一介质层；去除所述第二圆柱状硬掩模，形成由所述第一介质层和磁隧道结围成的开口；去除所述开口露出的磁隧道结直至形成贯穿所述磁隧道结的贯穿孔，向所述贯穿孔中沉积介质材料，形成填充于所述贯穿孔中的第二介质层。
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