[发明专利]纳米环型磁隧道结的制造方法、磁阻内存的制造方法

权利要求书

1.一种纳米环型磁隧道结的制造方法，其特征在于，包括，提供磁隧道结；在所述隧道结上形成直径为第一尺寸的第一圆柱状硬掩模；以所述第一圆柱状硬掩模为掩模蚀刻所述磁隧道结，形成圆柱状磁隧道结；从径向对所述第一圆柱状硬掩模进行修整处理，形成直径为第二尺寸的第二圆柱状硬掩模，所述第二圆柱状硬掩模露出圆环型的磁隧道结；在所述第二圆柱状硬掩模露出的磁隧道结上沉积介质材料，形成第一介质层；去除所述第二圆柱状硬掩模，形成由所述第一介质层和磁隧道结围成的开口；去除所述开口露出的磁隧道结直至形成贯穿所述磁隧道结的贯穿孔，向所述贯穿孔中沉积介质材料，形成填充于所述贯穿孔中的第二介质层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一圆柱状硬掩模和第二圆柱状硬掩模的轴重合。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一尺寸位于90～110nm的范围内；第二尺寸位于40～60nm的范围内。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一圆柱状硬掩模和第二圆柱状硬掩模的材料为无定形碳或氮化硅。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一圆柱状硬掩模的材料为无定形碳，通过灰化方法对所述第一圆柱状硬掩模进行修整处理；通过灰化方法去除第二圆柱状硬掩模。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一圆柱状硬掩模的材料为氮化硅，通过磷酸溶液对所述第一圆柱状硬掩模进行湿刻，以进行修整处理；通过磷酸溶液去除第二圆柱状硬掩模。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二圆柱状硬掩模露出的磁隧道结上沉积介质材料，形成第一介质层的步骤包括：在所述第二圆柱状硬掩模露出的磁隧道结上沉积介质材料，直至所述介质材料覆盖于第二圆柱状硬掩膜上；通过平坦化工艺去第二圆柱状硬掩模上的介质材料，露出所述第二圆柱状硬掩模，形成第一介质层。

8.一种磁阻内存的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一电极；在第一电极上形成磁隧道结；在所述隧道结上形成直径为第一尺寸的第一圆柱状硬掩模；以所述第一圆柱状硬掩模为掩模蚀刻所述磁隧道结，形成圆柱状磁隧道结；从径向对所述第一圆柱状硬掩模进行修整处理，形成直径为第二尺寸的第二圆柱状硬掩模，所述第二圆柱状硬掩模露出圆环型的磁隧道结；在所述第二圆柱状硬掩模露出的磁隧道结上沉积介质材料，形成第一介质层；去除所述第二圆柱状硬掩模，形成由所述第一介质层和磁隧道结围成的开口；去除所述开口露出的磁隧道结直至形成贯穿所述磁隧道结的贯穿孔，向所述贯穿孔中沉积介质材料，形成填充于所述贯穿孔中的第二介质层；在所述第二介质层上形成覆盖于所述磁隧道结上的第二电极。

9.如权利要求8所述的磁阻内存的制造方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极为铜层或铝层。

10.如权利要求8所述的磁阻内存的制造方法，其特征在于，所述磁隧道结位于所述第一电极上，且磁隧道结与第一电极的接触面积最大。