[发明专利]在单任务中实现同时烧写多片NANDFLASH的方法有效
| 申请号： | 201010567329.8 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102034543A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赵进云 | 申请（专利权）人： | 福建鑫诺通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 翁素华 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在单任务中实现同时烧写多片NANDFLASH的方法，先从外部存储器读取数据然后把数据烧写到母片中，当进行实际烧片的时候，从母片中获取数据，并在单任务中把数据同时并发的写入所有烧写座上的NANDFLASH芯片。本发明采用在单任务中对多片NANDFLASH芯片同时进行并发烧写的方法来代替传统的串行化的逐片烧写的方法和每片一个烧写任务的多任务方法，使得烧写与生产效率大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 任务 实现 同时 烧写多片 nandflash 方法 | ||
【主权项】：
一种在单任务中实现同时烧写多片NANDFLASH的方法，其特征在于：首先从外部存储器读取要烧写的镜像文件，然后把镜像文件写入到母片中；在烧写的时候把母片中的数据导入到所有烧写座上的NANDFLASH芯片；在此过程中：采用在单线程任务中同时控制多片NANDFLASH芯片的信号引脚的方式对多片NANDFLASH芯片执行烧写操作；在错误处理的方式上：烧写代码每次都对所有的NANDFLASH芯片发起编程操作即先设置每块NANDFLASH芯片对应的地址，不跳过异常或不在位的NANDFLASH芯片，只要有一片编程成功，上层烧写代码获取到的编程状态都是成功的；当上层烧写代码获取异常或不在位的芯片的编程状态时，由烧写系统软件模拟返回成功。
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