[发明专利]在单任务中实现同时烧写多片NANDFLASH的方法有效
| 申请号： | 201010567329.8 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102034543A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赵进云 | 申请（专利权）人： | 福建鑫诺通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 翁素华 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 任务 实现 同时 烧写多片 nandflash 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在单任务中实现同时烧写多片NANDFLASH的方法，其特征在于：首先从外部存储器读取要烧写的镜像文件，然后把镜像文件写入到母片中；在烧写的时候把母片中的数据导入到所有烧写座上的NANDFLASH芯片；在此过程中：采用在单线程任务中同时控制多片NANDFLASH芯片的信号引脚的方式对多片NANDFLASH芯片执行烧写操作；在错误处理的方式上：烧写代码每次都对所有的NANDFLASH芯片发起编程操作即先设置每块NANDFLASH芯片对应的地址，不跳过异常或不在位的NANDFLASH芯片，只要有一片编程成功，上层烧写代码获取到的编程状态都是成功的；当上层烧写代码获取异常或不在位的芯片的编程状态时，由烧写系统软件模拟返回成功。
2.根据权利要求1所述的在单任务中实现同时烧写多片NANDFLASH的方法，其特征在于：所述的烧写系统软件模拟返回成功的方式是：在发现哪块NANDFLASH芯片烧写异常、错误时断开相应SN74HC245的电源，同时判断该NANDFLASH芯片RB脚状态的操作永远都返回READY状态，让读取此NANDFLASH芯片I/O脚的操作也都返回成功状态。
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