[发明专利]双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法有效

专利信息
申请号: 201010567268.5 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN102062901A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 陈子伦;侯静;奚小明;孙桂林;陈胜平;王泽锋;司磊;许晓军 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G02B6/255 分类号: G02B6/255;G02B6/245
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;杨斌
地址: 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明具体公开了一种双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,包括以下步骤:先通过熔融拉锥工艺减小双包层光纤的外径,使其与光子晶体光纤的外径相同;再通过加热塌缩光子晶体光纤纤芯周围的空气孔,使其模场直径与双包层光纤的模场直径相匹配,同时使光子晶体光纤的外径基本保持不变;最后利用常规的熔接工艺对经过前述处理后的双包层光纤和光子晶体光纤进行熔接。本发明的熔接方法具有低成本、高效率、高质量且简单方便的优点。
搜索关键词: 包层 光纤 光子 晶体 熔接 方法
【主权项】:
一种双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,包括以下步骤:(1)双包层光纤的处理:通过熔融拉锥工艺减小所述双包层光纤的外径,使其与所述光子晶体光纤的外径相同;(2)光子晶体光纤的处理:通过加热塌缩所述光子晶体光纤纤芯周围的空气孔,使光子晶体光纤的模场直径与熔融拉锥后的双包层光纤的模场直径相匹配,同时使光子晶体光纤的外径基本保持不变;(3)熔接:利用常规的熔接工艺对经过步骤(1)和步骤(2)处理后的双包层光纤和光子晶体光纤进行熔接。
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