[发明专利]双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法有效

专利信息
申请号: 201010567268.5 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN102062901A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 陈子伦;侯静;奚小明;孙桂林;陈胜平;王泽锋;司磊;许晓军 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G02B6/255 分类号: G02B6/255;G02B6/245
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;杨斌
地址: 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 包层 光纤 光子 晶体 熔接 方法
【权利要求书】:

1.一种双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,包括以下步骤:

(1)双包层光纤的处理:通过熔融拉锥工艺减小所述双包层光纤的外径,使其与所述光子晶体光纤的外径相同;

(2)光子晶体光纤的处理:通过加热塌缩所述光子晶体光纤纤芯周围的空气孔,使光子晶体光纤的模场直径与熔融拉锥后的双包层光纤的模场直径相匹配,同时使光子晶体光纤的外径基本保持不变;

(3)熔接:利用常规的熔接工艺对经过步骤(1)和步骤(2)处理后的双包层光纤和光子晶体光纤进行熔接。

2.根据权利要求1所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于:所述双包层光纤的处理步骤中,所述熔融拉锥工艺应用于双包层光纤以前,先将双包层光纤的保护层和外包层去除。

3.根据权利要求1或2所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于:在进行所述的熔融拉锥过程中,通过控制火焰的加热时间使双包层光纤变形后的过渡锥区长度在1cm以上。

4.根据权利要求1所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于,所述光子晶体光纤的处理步骤中,加热塌缩空气孔的具体操作方法为:将所述光子晶体光纤一端纤芯周围的多圈空气孔进行胶水密封,并在该密封端进行充气,同时将该光子晶体光纤另一端的所有空气孔进行塌缩密封,当空气孔内的气压达到平衡后,利用熔融拉锥机加热该光子晶体光纤上的一段,使位于该段内的所述胶水密封的多圈空气孔塌缩,并与塌缩前的纤芯构成一个整体,得到与所述熔融拉锥处理后双包层光纤的模场直径相匹配的新纤芯。

5.根据权利要求4所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于,所述胶水密封的空气孔的圈数为n,其中d′1为所述步骤(1)处理后双包层光纤的模场直径,d2为所述步骤(2)处理前光子晶体光纤的模场直径。

6.根据权利要求4或5所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于,在利用熔融拉锥机加热该光子晶体光纤上的一段的过程中,通过控制加热次数来逐渐减少该加热区段两端的加热时间,使该加热区段内的多圈空气孔完全塌缩区两端各形成一个过渡区。

7.根据权利要求6所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于,所述过渡区的长度在1cm以上。

8.根据权利要求1所述的双包层光纤和光子晶体光纤的熔接方法,其特征在于,所述熔接步骤中,控制的工艺条件如下:放电电流为5mA~16mA,放电时间为100ms~400ms;电极位置优选设置在远离光子晶体光纤端的2μm~8μm处,重叠长度为4μm~8μm;重复放电的电流为5mA~10mA,重复放电的时间为100ms~300ms。

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