[发明专利]旋转式空间隔离化学气相淀积方法及其设备无效
申请号: | 201010562582.4 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102477543A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 陈宇林;吴东;郭敏;高洁;王东君 | 申请(专利权)人: | 英作纳米科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;迟姗 |
地址: | 100098 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法,包括:基底在反应腔体内旋转,依次通过反应腔体内的多个反应区,反应区通过供应系统获得前驱体,前驱体在基底通过所述前驱体所在的反应区时吸附在基底的表面;吸附在基底表面的不同前驱体之间发生化学反应,生成沉积在基底表面的薄膜。本发明还公开了一种使用上述方法的旋转式空间隔离化学气相淀积CVD设备。使用本发明的旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法及其设备能够方便地控制薄膜沉积厚度、提高薄膜均匀性,并且适用于制备各种厚度的薄膜。 | ||
搜索关键词: | 旋转 空间 隔离 化学 气相淀积 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
一种旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法,其特征在于,包括:基底在反应腔体内旋转,依次通过所述反应腔体内的多个反应区,所述反应区通过供应系统获得前驱体,所述前驱体在所述基底通过所述前驱体所在的反应区时吸附在所述基底的表面;吸附在所述基底表面的不同所述前驱体之间发生化学反应,生成沉积在所述基底表面的薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英作纳米科技(北京)有限公司,未经英作纳米科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010562582.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:绞吸挖泥船排泥管的快速接头
- 下一篇:抗菌保护膜喷涂液组合物及喷涂装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的