[发明专利]旋转式空间隔离化学气相淀积方法及其设备

权利要求书

1.一种旋转式空间隔离化学气相淀积CVD方法，其特征在于，包括：基底在反应腔体内旋转，依次通过所述反应腔体内的多个反应区，所述反应区通过供应系统获得前驱体，所述前驱体在所述基底通过所述前驱体所在的反应区时吸附在所述基底的表面；吸附在所述基底表面的不同所述前驱体之间发生化学反应，生成沉积在所述基底表面的薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：所述基底还通过设置在获得不同所述前驱体的两个相邻所述反应区之间的空白区，所述空白区通过所述供应系统获得载气。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过所述供应系统获得所述前驱体或所述载气包括：所述供应系统向所述反应区注入所述前驱体和/或所述载气；停止注入所述前驱体和/或所述载气后，所述供应系统将所述载气和/或未能吸附在所述基底表面的所述前驱体抽走。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：将所述基底进行加热、制冷、光照或加电压处理。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基底的处理温度为-20℃至1000℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：将所述前驱体进行加热或制冷处理。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述前驱体的处理温度为-20℃至500℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底在所述反应腔体内旋转的转速为1转/分钟至100转/分钟。

9.一种旋转式空间隔离化学气相淀积CVD设备，其特征在于，包括：

反应腔体，内部设置有多个反应区；

旋转装置，设置于所述反应腔体内部，用于使基底在所述反应腔体内旋转；以及

供应系统，设置于所述反应区上方，用于使所述反应区获得前驱体。

10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述反应腔体内部还设置有空白区，所述空白区设置在获得不同前驱体的两个相邻所述反应区之间；

所述供应系统，还设置于所述空白区上方，用于使所述空白区获得载气。

11.如权利要求10所述的设备，其特征在于，所述供应系统包括：

出口，设置于所述反应区或所述空白区上方；

抽气口，与所述出口并列设置；

前驱体源及载气源，通过阀门及管线分别与所述出口相连接；以及

真空泵，通过所述管线与所述抽气口相连接。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述载气源的出口处设置有质量流量控制器。

13.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述真空泵和所述抽气口之间还设置有尾气吸收装置。

14.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述出口与所述旋转装置的距离为2mm至200mm。

15.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述供应系统还包括加热/制冷装置和温度探头。

16.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述反应腔体内还设置有加热/制冷装置和温度探头。

17.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述旋转装置的转速为1转/分钟至100转/分钟。

18.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述旋转装置包括：

旋转支架；

动力装置，与所述旋转支架相连接，用于驱动所述旋转支架旋转；及

夹具，设置在所述旋转支架上，用于固定所述基底。