[发明专利]半导体管芯切单方法

摘要

本公开涉及半导体管芯切单方法。在一个实施方式中，通过蚀刻完全贯穿半导体晶片的开口，从半导体晶片切单半导体管芯。

主权项

一种形成半导体管芯的方法，包括：提供具有半导体基底的半导体晶片，所述半导体基底具有第一厚度、顶面、底面、以及多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体基底的顶面上形成，并且通过所述半导体晶片的要形成切单线处的部分相互分离；翻转所述半导体晶片；将所述半导体晶片的底面的内部部分的厚度减少至小于所述第一厚度的第二厚度，并留下具有所述第一厚度的所述半导体晶片的外侧轮缘，其中所述外侧轮缘与所述半导体晶片的边缘并列，并且其中所述内部部分位于所述多个半导体管芯的下面；在所述半导体晶片的底面的内部部分上形成保护层，其中所述保护层是金属、金属化合物和金属‑硅化合物中的一种；以及使用干式蚀刻以将所述外侧轮缘的所述第一厚度减少至第三厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度，其中所述保护层保护所述内部部分不被干式蚀刻，使得所述第二厚度保持基本恒定。