[发明专利]半导体管芯切单方法

权利要求书

1.一种形成半导体管芯的方法，包括：

提供具有半导体基底的半导体晶片，所述半导体基底具有第一厚度、顶面、底面、以及多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体基底的顶面上形成，并且通过所述半导体晶片的要形成切单线处的部分相互分离；

翻转所述半导体晶片；

将所述半导体晶片的底面的内部部分的厚度减少至小于所述第一厚度的第二厚度，并留下具有所述第一厚度的所述半导体晶片的外侧轮缘，其中所述外侧轮缘与所述半导体晶片的边缘并列，并且其中所述内部部分位于所述多个半导体管芯的下面；

在所述半导体晶片的底面的内部部分上形成保护层，其中所述保护层是金属、金属化合物和金属-硅化合物中的一种；以及

使用干式蚀刻以将所述外侧轮缘的所述第一厚度减少至第三厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度，其中所述保护层保护所述内部部分不被干式蚀刻，使得所述第二厚度保持基本恒定。

2.如权利要求1所述的方法，其中使用所述干式蚀刻来减少所述第一厚度包括使用蚀刻硅比蚀刻金属要快的干式蚀刻。

3.如权利要求1所述的方法，其中翻转所述半导体晶片包括在翻转所述半导体晶片之前，将支撑设备连接到所述半导体晶片的顶面。

4.如权利要求3所述的方法，还包括在形成所述保护层之前移除所述支撑设备。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述保护层包括：图案化所述保护层以暴露所述半导体基底的要形成所述切单线处的部分；以及

其中使用所述干式蚀刻以减少所述第一厚度包括：使用所述干式蚀刻以从所述半导体基底的底面贯穿所述半导体基底到达所述半导体基底的顶面来蚀刻所述切单线。

6.如权利要求1所述的方法，还包括在使用所述干式蚀刻来减少所述第一厚度的步骤之前，从所述外侧轮缘的底面移除任何保护层。

7.一种形成半导体管芯的方法，包括：

提供具有半导体基底的半导体晶片，所述半导体基底具有第一厚度、顶面、底面以及多个半导体管芯，所述多个半导体管芯在所述半导体基底的顶面上形成，并且通过所述半导体晶片的要形成切单线处的部分相互分离；

将所述半导体晶片的底面的内部部分的厚度减少至小于所述第一厚度的第二厚度，并留下具有所述第一厚度的所述半导体晶片的外侧轮缘，其中所述外侧轮缘与所述半导体晶片的边缘并列，并且其中所述内部部分位于所述多个半导体管芯的下面；

在所述晶片的底面的内部部分上形成保护层，其中所述保护层是金属、金属化合物和金属-硅化合物中的一种；以及

使用干式蚀刻以在要形成所述切单线处形成切单开口，包括：形成贯穿所述半导体基底的所述切单开口，其中在所述外侧轮缘和与该外侧轮缘相邻的任何半导体管芯之间形成至少一个切单开口。

8.如权利要求7所述的方法，其中形成所述保护层包括图案化所述保护层以暴露所述半导体晶片的底面的要形成所述切单线处的部分；以及

其中使用所述干式蚀刻以形成所述切单开口的步骤包括使用所述保护层作为掩模，同时使用所述干式蚀刻来从所述半导体晶片的底面贯穿所述半导体基底到达所述半导体基底的顶面来蚀刻所述切单开口，以及使用所述干式蚀刻来蚀刻所述外侧轮缘并将所述外侧轮缘的第一厚度减少至第三厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度。

9.如权利要求8所述的方法，还包括在使用所述干式蚀刻以形成所述切单开口的步骤之前，移除所述外侧轮缘的底面上的所述保护层的任何部分。

10.如权利要求8所述的方法，还包括掩盖所述外侧轮缘的底面以防止在所述外侧轮缘的底面上形成任何所述保护层。