[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置无效
| 申请号： | 201010560100.1 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102097325A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 守口正生;齐藤裕一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在绝缘基板上形成栅电极的第一工序，以覆盖上述栅电极的形式形成栅极绝缘膜的第二工序，形成半导体层和做为包含杂质的半导体层的杂质层的第三工序，蚀刻上述半导体层形成激活层的第四工序，通过蚀刻上述杂质层形成源极区域及漏极区域的第五工序；上述第三工序中，包括以覆盖上述栅极绝缘膜的形式形成第一非晶膜的工序、和以覆盖上述第一非晶膜的形式形成包含晶相的结晶膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在绝缘基板上形成栅电极的第一工序，以覆盖上述栅电极的形式形成栅极绝缘膜的第二工序，形成半导体层和做为包含杂质的半导体层的杂质层的第三工序，蚀刻上述半导体层形成激活层的第四工序，通过蚀刻上述杂质层形成源极区域及漏极区域的第五工序；上述第三工序中，包括以覆盖上述栅极绝缘膜的形式形成第一非晶膜的工序、和以覆盖上述第一非晶膜的形式形成包含晶相的结晶膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
