[发明专利]形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法

摘要

本发明涉及形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法。半导体器件具有在指定用于凸点形成的位置处安装到暂时衬底的应力消除缓冲区。应力消除缓冲区可以是多层复合材料，诸如第一柔性层、在所述第一柔性层上形成的硅层以及在所述硅层上形成的第二柔性层。半导体管芯也安装到暂时衬底。应力消除缓冲区可以比半导体管芯薄。在半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂。去除暂时衬底。在半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构。互连结构电连接到半导体管芯。可以在应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。可以在应力消除缓冲区内形成包含有源器件、无源器件、导电层和介电层的电路层。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：形成应力消除缓冲区；提供暂时衬底；把半导体管芯安装到所述暂时衬底；把所述应力消除缓冲区安装到所述半导体管芯周围的所述暂时衬底；在所述半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂；去除所述暂时衬底；以及在所述半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构，该互连结构电连接到所述半导体管芯。