[发明专利]形成柔性应力消除缓冲区的半导体器件和方法

权利要求书

1. 一种制作半导体器件的方法，包括：

形成应力消除缓冲区；

提供暂时衬底；

把半导体管芯安装到所述暂时衬底；

把所述应力消除缓冲区安装到所述半导体管芯周围的所述暂时衬底；

在所述半导体管芯和应力消除缓冲区之间沉积密封剂；

去除所述暂时衬底；以及

在所述半导体管芯、密封剂和应力消除缓冲区上形成互连结构，该互连结构电连接到所述半导体管芯。

2. 权利要求1的方法，还包括在指定用于凸点形成的位置处形成所述应力消除缓冲区。

3. 权利要求1的方法，其中所述应力消除缓冲区包括具有阻尼属性的多层复合材料和结构。

4. 权利要求1的方法，其中形成应力消除缓冲区包括：

形成第一柔性层；

在所述第一柔性层上形成硅层；以及

在所述硅层上形成第二柔性层。

5. 权利要求1的方法，还包括在所述应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。

6. 权利要求1的方法，其中所述应力消除缓冲区比所述半导体管芯薄。

7. 权利要求1的方法，还包括在所述应力消除缓冲区内形成电路。

8. 一种制作半导体器件的方法，包括：

提供暂时衬底；

把半导体管芯或部件安装到所述暂时衬底；

在所述暂时衬底上形成应力消除层；

在所述应力消除缓冲区和半导体管芯或部件上沉积密封剂；

去除所述暂时衬底；以及

在所述半导体管芯或部件和应力消除层上形成互连结构，该互连结构电连接到所述半导体管芯。

9. 权利要求8的方法，还包括在应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。

10. 权利要求8的方法，其中所述应力消除层比所述半导体管芯或部件薄。

11. 权利要求8的方法，还包括在所述应力消除缓冲区内形成电路层。

12. 一种制作半导体器件的方法，包括：

提供暂时衬底；

把半导体管芯或部件安装到所述暂时衬底；

把应力消除缓冲区安装到所述暂时衬底；以及

在所述应力消除缓冲区和半导体管芯或部件之间沉积密封剂。

13. 权利要求12的方法，还包括：

去除所述暂时衬底；以及

在所述半导体管芯和应力消除缓冲区上形成互连结构，该互连结构电连接到所述半导体管芯或部件。

14. 权利要求12的方法，还包括在指定用于凸点形成的位置处形成所述应力消除缓冲区。

15. 权利要求12的方法，其中所述应力消除缓冲区包括多层复合材料。

16. 权利要求12的方法，其中形成应力消除缓冲区包括：

形成第一柔性层；

在所述第一柔性层上形成刚性层；以及

在所述刚性层上形成第二柔性层。

17. 权利要求12的方法，还包括在所述应力消除缓冲区和密封剂上形成增强板层。

18. 权利要求12的方法，其中所述应力消除缓冲区比所述半导体管芯或部件薄。

19. 权利要求12的方法，还包括在所述应力消除缓冲区内形成电路层。

20. 一种半导体器件，包括：

半导体管芯或部件；

应力消除缓冲区，设置在所述半导体管芯或部件周围；

密封剂，沉积在所述应力消除缓冲区和半导体管芯或部件之间；以及

互连结构，形成在所述半导体管芯或部件和应力消除缓冲区上，该互连结构电连接到所述半导体管芯或部件。

21. 权利要求20的半导体器件，其中所述应力消除缓冲区设置在指定用于凸点形成的位置处。

22. 权利要求20的半导体器件，其中所述应力消除缓冲区包括多层复合材料。

23. 权利要求20的半导体器件，还包括形成在所述应力消除缓冲区和密封剂上的增强板层。