[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010551911.5 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102074481A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 白成鹤;安敏秀 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：形成外槽，该外槽包括第一沟槽和形成在该第一沟槽下方的第二沟槽，第二沟槽通过刻蚀衬底而形成；通过执行热氧化工艺而形成电介质层，所述电介质层填充所述第二沟槽，使得所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；沿包括所述电介质层的半导体结构的表面形成栅电介质层；以及在所述栅电介质层上形成栅极，所述栅极填充所述外槽的其余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：形成外槽，所述外槽包括：第一沟槽；和形成在所述第一沟槽下方的第二沟槽，所述第二沟槽通过刻蚀衬底而形成；通过执行热氧化工艺形成电介质层，所述电介质层填充所述第二沟槽，使得所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度；沿包括所述电介质层的半导体结构的表面形成栅电介质层；以及在所述栅电介质层上形成栅极，所述栅极填充所述外槽的其余部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司，未经美格纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010551911.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实现快速负荷重分配的方法及移动交换中心
- 下一篇：传输线驱动器及驱动方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
