[发明专利]一种SiGe BiCMOS射频功率放大器

摘要

本发明涉及一种SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括一级预放大晶体管、二级功率放大晶体管、一级偏置电路、二级偏置电路、输入匹配网络和阻抗变换网络。本发明的电路结构分为一级预放大电路和二级功率放大电路，两级放大电路之间使用耦合电容相连。一级预放大晶体管用的是标准SiGe晶体管，并采用了RC串联反馈电路来提高电路的线性度；二级功率放大晶体管用的是高压SiGe晶体管，能够达到较高的输出功率。一级偏置电路和二级偏置电路均使用双极型晶体管电流镜结构，并且利用温度负反馈技术来提高温度稳定性。本发明具有高线性度和较高的输出功率。

主权项

一种SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括一级预放大晶体管、二级功率放大晶体管、一级偏置电路、二级偏置电路、输入匹配网络和阻抗变换网络，其特征在于，所述的输入匹配网络的输出端和一级偏置电路的输出端分别与所述的一级预放大晶体管的基极相连；所述的一级预放大晶体管的集电极与基极之间连有相互串联的电阻和电容，所述的电阻和电容组成所述的一级预放大晶体管的反馈电路；所述的一级预放大晶体管的发射极接地，集电极通过一个电感与电源相连；所述的一级预放大晶体管的集电极通过耦合电容与所述的二级功率放大晶体管的基极相互连接；所述的二级偏置电路的输出端与所述的二级功率放大晶体管的基极相连；所述的二级功率放大晶体管的发射极接地，集电极通过一个电感与所述的电源相连；所述的二级功率放大晶体管的集电极还连接有阻抗变换网络；所述的输入匹配网络的输入端作为所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器的射频输入端，所述的阻抗变换网络的输出端作为所述的SiGeBiCMOS射频功率放大器的射频输出端；所述的一级预放大晶体管为标准SiGe晶体管；所述的二级功率放大晶体管为高压SiGe晶体管。