[发明专利]一种SiGe BiCMOS射频功率放大器

权利要求书

1.一种SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括一级预放大晶体管、二级功率放大晶体管、一级偏置电路、二级偏置电路、输入匹配网络和阻抗变换网络，其特征在于，所述的输入匹配网络的输出端和一级偏置电路的输出端分别与所述的一级预放大晶体管的基极相连；所述的一级预放大晶体管的集电极与基极之间连有相互串联的电阻和电容，所述的电阻和电容组成所述的一级预放大晶体管的反馈电路；所述的一级预放大晶体管的发射极接地，集电极通过一个电感与电源相连；所述的一级预放大晶体管的集电极通过耦合电容与所述的二级功率放大晶体管的基极相互连接；所述的二级偏置电路的输出端与所述的二级功率放大晶体管的基极相连；所述的二级功率放大晶体管的发射极接地，集电极通过一个电感与所述的电源相连；所述的二级功率放大晶体管的集电极还连接有阻抗变换网络；所述的输入匹配网络的输入端作为所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器的射频输入端，所述的阻抗变换网络的输出端作为所述的SiGeBiCMOS射频功率放大器的射频输出端；所述的一级预放大晶体管为标准SiGe晶体管；所述的二级功率放大晶体管为高压SiGe晶体管。

2.根据权利要求1所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的一级偏置电路和二级偏置电路均采用双极型晶体管电流镜结构。

3.根据权利要求2所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的一级偏置电路和二级偏置电路均包括三个晶体管和三个电阻；所述的第一晶体管的基极与集电极相互连接并与第二晶体管的发射极相连；所述的第一晶体管的发射级接地；所述的第二晶体管的基极与所述的第三晶体管的基极之间跨接有所述的第二电阻；所述的第二晶体管的集电极与所述的第三晶体管的基极相连；所述的第二晶体管的集电极与所述的第三晶体管的集电极之间跨接有所述的第一电阻；所述的第三晶体管的发射极与所述的一级预放大晶体管的基极之间连接有第三电阻；所述的第三晶体管的集电极与电源相连。

4.根据权利要求3所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为SiGe NPN管。

5.根据权利要求3所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的第三电阻两端并联有电容。

6.根据权利要求1所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的输入匹配网络为T型匹配网络。

7.根据权利要求1所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的输入匹配网络的输出端与所述的一级预放大晶体管的基极之间设有隔直电容；所述的一级预放大晶体管的集电极与所述的二级功率放大晶体管的基极之间设有隔直电容。

8.根据权利要求1所述的SiGe BiCMOS射频功率放大器，其特征在于，所述的SiGeBiCMOS射频功率放大器的工作中心频率为2.4～2.5GHz。