[发明专利]在聚合物基体复合衬底上形成电感器的半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201010550946.7 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102097301A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;王洪斌 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在聚合物基体复合衬底上形成电感器的半导体器件和方法。半导体器件具有形成在聚合物基体复合衬底的第一表面上的第一绝缘层。第一导电层形成在第一绝缘层上。第二导电层形成在第一绝缘层和第一导电层上。第二导电层形成在第二绝缘层和第一导电层上。第二导电层被卷绕成展现电感属性。在第一导电层和第二导电层之间形成第三导电层。第三绝缘层形成在第二绝缘层和第二导电层上。凸点形成在第二导电层上。第四绝缘层可以形成在聚合物基体复合衬底的第二表面上。可选地，第四绝缘层可以在形成第一导电层之前形成在第一绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 基体 复合 衬底 形成 电感器 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：形成聚合物基体复合衬底；在所述聚合物基体复合衬底的第一表面上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一导电层；在所述第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层和第一导电层上形成第二导电层；在所述第二绝缘层和第二导电层上形成第三绝缘层；去除所述第三绝缘层的一部分以暴露所述第二导电层；以及在所述第二导电层上形成凸点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋有限公司，未经新科金朋有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010550946.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种龙虾富硒饲料
- 下一篇：一种黑鱼膨化配合饲料
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
